祝贺曹琳、张勇在Acta Materialia期刊上发表论文

最近，作为重原子核物理中提出的三体束缚态的二体版本，Efimov准束缚态在拓扑材料中被观察到。然而，Efimov准束缚态的形成条件仍有待确定。在本工作中，我们通过化学气相输运法制备了高质量Cu₂HgSnSe₄晶体，系统地研究了其输运性质随外加压力的演化。实验观测到Cu₂HgSnSe₄在外加压力下从窄带隙半导体到狄拉克半金属的拓扑相变。同时，在0.1 ~ 1.5 GPa压力下，样品表现出与磁场呈对数依赖的量子振荡，这是Efimov准束缚态存在的证据。结合理论计算和模型分析，我们定量地解释了外加压力下Cu₂HgSnSe₄中Efimov准束缚态的形成：当Cu₂HgSnSe₄由半导体转变到半金属，且介电常数处于特定的状态下可以形成Efimov准束缚态。我们的工作阐明了固体中介电屏蔽作用下Efimov准束缚态的形成条件，同时证明了外加压力下拓扑材料中会出现丰富的新量子态。

该工作发表在Acta Materialia期刊上（Acta Materialia 317, 122560 (2026)），课题组在职博后曹琳和博士生张勇为论文共同第一作者，吕洋洋助理教授、姚淑华教授、陈延彬教授及中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心张警蕾研究员为论文共同通讯作者。

https://doi.org/10.1016/j.actamat.2026.122560